Statistical study of the effect of interface charge fluctuations in HEMTs using a 3D simulator

  1. Seoane, N.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Kalna, K.
  4. Asenov, A.
Revista:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Ano de publicación: 2006

Volume: 5

Número: 4

Páxinas: 385-388

Tipo: Artigo

DOI: 10.1007/S10825-006-0019-4 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus