Statistical study of the effect of interface charge fluctuations in HEMTs using a 3D simulator

  1. Seoane, N.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Kalna, K.
  4. Asenov, A.
Zeitschrift:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025,  1572-8137

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 5

Nummer: 4

Seiten: 385-388

Art: Artikel

DOI: 10.1007/S10825-006-0019-4 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus