Study of local power dissipation in ultrascaled silicon nanowire FETs

  1. Martinez, A.
  2. Barker, J.R.
  3. Aldegunde, M.
  4. Valin, R.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2015

Volume: 36

Número: 1

Páxinas: 2-4

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/LED.2014.2368357 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus