Study of local power dissipation in ultrascaled silicon nanowire FETs

  1. Martinez, A.
  2. Barker, J.R.
  3. Aldegunde, M.
  4. Valin, R.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 36

Nummer: 1

Seiten: 2-4

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2014.2368357 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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