Narrowing of band gap at source/drain contact scheme of nanoscale InAs–nMOS

  1. Mohamed, A.H.
  2. Oxland, R.
  3. Aldegunde, M.
  4. Hepplestone, S.P.
  5. Sushko, P.V.
  6. Kalna, K.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2018

Volume: 142

Páxinas: 31-35

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2018.01.006 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus