Narrowing of band gap at source/drain contact scheme of nanoscale InAs–nMOS

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Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 142

Seiten: 31-35

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2018.01.006 GOOGLE SCHOLAR
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