Combined nanoscale KPFM characterization and device simulation for the evaluation of the MOSFET variability related to metal gate workfunction fluctuations

  1. Ruiz, A.
  2. Seoane, N.
  3. Claramunt, S.
  4. García-Loureiro, A.
  5. Porti, M.
  6. Nafria, M.
Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2019

Volumen: 216

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2019.111048 GOOGLE SCHOLAR
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