FinFET versus gate-all-around nanowire FET: Performance, scaling, and variability

  1. Nagy, D.
  2. Indalecio, G.
  3. Garcia-Loureiro, A.J.
  4. Elmessary, M.A.
  5. Kalna, K.
  6. Seoane, N.
Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Ano de publicación: 2018

Volume: 6

Número: 1

Páxinas: 332-340

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/JEDS.2018.2804383 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus