FinFET versus gate-all-around nanowire FET: Performance, scaling, and variability

  1. Nagy, D.
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  4. Elmessary, M.A.
  5. Kalna, K.
  6. Seoane, N.
Zeitschrift:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 6

Nummer: 1

Seiten: 332-340

Art: Artikel

DOI: 10.1109/JEDS.2018.2804383 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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