Variability characterisation of nanoscale Si and InGaAs fin field-effect-transistors at subthreshold
ISSN: 1546-2005, 1546-1998
Ano de publicación: 2015
Volume: 11
Número: 2
Páxinas: 256-262
Tipo: Artigo
ISSN: 1546-2005, 1546-1998
Ano de publicación: 2015
Volume: 11
Número: 2
Páxinas: 256-262
Tipo: Artigo