Variability characterisation of nanoscale Si and InGaAs fin field-effect-transistors at subthreshold

  1. Indalecio, G.
  2. Seoane, N.
  3. Aldegunde, M.
  4. Kalna, K.
  5. García-Loureiro, A.J.
Zeitschrift:
Journal of Low Power Electronics

ISSN: 1546-2005,  1546-1998

Datum der Publikation: 2015

Ausgabe: 11

Nummer: 2

Seiten: 256-262

Art: Artikel

DOI: 10.1166/JOLPE.2015.1371 GOOGLE SCHOLAR
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