Random dopant, line-edge roughness, and gate workfunction variability in a nano InGaAs finFET

  1. Seoane, N.
  2. Indalecio, G.
  3. Comesana, E.
  4. Aldegunde, M.
  5. Garcia-Loureiro, A.J.
  6. Kalna, K.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2014

Volume: 61

Número: 2

Páxinas: 466-472

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TED.2013.2294213 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus