Random dopant, line-edge roughness, and gate workfunction variability in a nano InGaAs finFET
ISSN: 0018-9383
Año de publicación: 2014
Volumen: 61
Número: 2
Páginas: 466-472
Tipo: Artículo
ISSN: 0018-9383
Año de publicación: 2014
Volumen: 61
Número: 2
Páginas: 466-472
Tipo: Artículo