Simulations of statistical variability in n-Type FinFET, nanowire, and nanosheet FETs

  1. Seoane, N.
  2. Fernandez, J.G.
  3. Kalna, K.
  4. Comesana, E.
  5. Garcia-Loureiro, A.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Año de publicación: 2021

Volumen: 42

Número: 10

Páginas: 1416-1419

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/LED.2021.3109586 GOOGLE SCHOLAR

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