Simulations of statistical variability in n-Type FinFET, nanowire, and nanosheet FETs

  1. Seoane, N.
  2. Fernandez, J.G.
  3. Kalna, K.
  4. Comesana, E.
  5. Garcia-Loureiro, A.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 1558-0563,  0741-3106

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 42

Nummer: 10

Seiten: 1416-1419

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2021.3109586 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus