Estudio de compuestos intermetálicos de tierras raras con inestabilidad de Valencia y de momento magnético y óxidos de manganeso con magnetorresistencia colosal

Resumo

A LO LARGO DE ESTA TESIS DOCTORAL SE ESTUDIAN LAS PROPIEDADES ESTRUCTURALES, MAGNETICAS Y DE TRANSPORTE ASOCIADAS A DIVERSOS TIPOS DE TRANSICIONES ELECTRONICAS EN COMPUESTOS INTERMETALICOS DE TIERRAS RARAS Y OXIDOS DE MANGANESO PARA TRATAR DE DESARROLLAR UN MECANISMO COMUN QUE PUEDA DAR CUENTA DE TALES TRANSICIONES. RESPECTO DEL PRIMER TIPO DE COMPUESTOS SE HAN ESTUDIADO COMPUESTOS INTERMETALICOS BASADOS EN CE E YB QUE PRESENTAN TRANSICIONES DE VALENCIA ABRUPTA BAJO CAMBIO DE TEMPERATURA O APLICACION DE CAMPO MAGNETICO ASI COMO COMPUESTOS TIPO RMN2, DONDE POR CAMBIO DE TEMPERATURA SE PRODUCE UNA TRANSICION ELECTRONICA EN LA QUE EL MOMENTO MAGNETICO DEL MN PASA DE SER ITINERANTE A LOCAL. RESPECTO DEL SEGUNDO TIPO DE COMPUESTOS, HEMOS ESTUDIADO COMPUESTOS TIPO PEROVSKITAS DE MANGANESO QUE MUESTRAN MAGNETORRESISTENCIA GIGANTE/COLOSAL EN TORNO A LA TEMPERATURA DE TRANSICION AISLANTE-METAL POR FORMACION DE POLARONES MAGNETICOS O A TEMPERATURAS INFERIORES A LA DE FORMACION DE UN ESTADO DE ORDEN DE CARGA. EN LOS COMPUESTOS QUE PRESENTAN TRANSICIONES DE VALENCIA HEMOS ENCONTRADO UN DIAGRAMA DE FASES ELECTRONICO QUE PARECE REGIR DE FORMA UNIVERSAL EL PASO DE UN REGIMEN KONDO A UNO DE VALENCIA INTERMEDIA Y FINALMENTE A UNO TIPO CURIE-WEISS. EN LOS COMPUESTOS TIPO RMN2 HEMOS PROPORCIONADO EVIDENCIAS DE LA SEGREGACION DE FASES ELECTRONICAS, UNA CON MOMENTO MAGNETICO LOCAL DEL MN Y OTRA DE FLUCTUACION DE SPIN EN QUE EL MOMENTO MAGNETICO DEL MN ES ITINERANTE. LA LABOR DESARROLLADA EN EL CAMPO DE LOS OXIDOS CON MAGNETORRESISTENCIA COLOSAL HA PERMITIDO DEMOSTRAR LA EXISTENCIA DE LOS POLARONES MAGNETICOS Y EL MECANISMO QUE PRODUCE DICHA MAGNETORRESISTENCIA. TAMBIEN EN ESTOS COMPUESTOS HEMOS DEMOSTRADO LA EXISTENCIA DE SEGREGACION DE FASES ELECTRONICAS, UNA DE ALTO VOLUMEN Y SEMICONDUCTORA Y OTRA DE BAJO VOLUMEN Y METALICA ASI COMO UNA RELACION UNIVERSAL ENTRE LA RESISTIVIDAD Y EL VOLUMEN PARA CONCENTRACION FIJA DE PORTADORES. FINALMENTE SE HA