Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs under Line Edge Roughness Variations

  1. Indalecio, G.
  2. Garcia-Loureiro, A.J.
  3. Seoane, N.
  4. Kalna, K.
Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Ano de publicación: 2018

Volume: 6

Páxinas: 601-610

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/JEDS.2018.2828504 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso aberto editor
Fonte de datos: Scopus