Spatial Sensitivity of Silicon GAA Nanowire FETs under Line Edge Roughness Variations

  1. Indalecio, G.
  2. Garcia-Loureiro, A.J.
  3. Seoane, N.
  4. Kalna, K.
Zeitschrift:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 6

Seiten: 601-610

Art: Artikel

DOI: 10.1109/JEDS.2018.2828504 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor
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