Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations

  1. Elmessary, M.A.
  2. Nagy, D.
  3. Aldegunde, M.
  4. Seoane, N.
  5. Indalecio, G.
  6. Lindberg, J.
  7. Dettmer, W.
  8. Perić, D.
  9. García-Loureiro, A.J.
  10. Kalna, K.
Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Ano de publicación: 2017

Volume: 128

Páxinas: 17-24

Tipo: Artigo

DOI: 10.1016/J.SSE.2016.10.018 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus