Scaling/LER study of Si GAA nanowire FET using 3D finite element Monte Carlo simulations

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Revista:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Año de publicación: 2017

Volumen: 128

Páginas: 17-24

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.SSE.2016.10.018 GOOGLE SCHOLAR
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