Impact of cross-section of 10.4 nm gate length Ino.53Gao.47As FinFETs on metal grain variability
- Seoane, N.
- Indalecio, G.
- Garcla-Loureiro, A.J.
- Kalna, K.
Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD
ISBN: 9781509008179
Ano de publicación: 2016
Páxinas: 241-244
Tipo: Achega congreso