3D 'atomistic' simulations of dopant induced variability in nanoscale implant free In 0.75Ga 0.25As MOSFETs

  1. Seoane, N.
  2. Aldegunde, M.
  3. García-Loureiro, A.
  4. Valin, R.
  5. Kalna, K.
Zeitschrift:
Solid-State Electronics

ISSN: 0038-1101

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 69

Seiten: 43-49

Art: Artikel

DOI: 10.1016/J.SSE.2011.11.031 GOOGLE SCHOLAR
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