Current variability in Si nanowire MOSFETs due to random dopants in the source/drain regions: A fully 3-D NEGF simulation study
- Seoane, N.
- Martinez, A.
- Brown, A.R.
- Barker, J.R.
- Asenov, A.
ISSN: 0018-9383
Ano de publicación: 2009
Volume: 56
Número: 7
Páxinas: 1388-1395
Tipo: Artigo