3-D nonequilibrium green's function simulation of nonperturbative scattering from discrete dopants in the source and drain of a silicon nanowire transistor

  1. Martinez, A.
  2. Seoane, N.
  3. Brown, A.R.
  4. Barker, J.R.
  5. Asenov, A.
Revista:
IEEE Transactions on Nanotechnology

ISSN: 1536-125X

Ano de publicación: 2009

Volume: 8

Número: 5

Páxinas: 603-610

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TNANO.2009.2020980 GOOGLE SCHOLAR
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