3-D nonequilibrium green's function simulation of nonperturbative scattering from discrete dopants in the source and drain of a silicon nanowire transistor

  1. Martinez, A.
  2. Seoane, N.
  3. Brown, A.R.
  4. Barker, J.R.
  5. Asenov, A.
Revista:
IEEE Transactions on Nanotechnology

ISSN: 1536-125X

Año de publicación: 2009

Volumen: 8

Número: 5

Páginas: 603-610

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/TNANO.2009.2020980 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus