Analysis of the impact of intrinsic parameter fluctuations in a 50 nm InP HEMT

  1. Seoane, N.
  2. García-Loureiro, A.
  3. Kalna, K.
  4. Asenov, A.
Konferenzberichte:
2007 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9781424408689

Datum der Publikation: 2007

Seiten: 92-95

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SCED.2007.384001 GOOGLE SCHOLAR