Intrinsic fluctuations induced by a high-κ gate dielectric in sub-100 nm Si MOSFETs

  1. García-Loureiro, A.J.
  2. Kalna, K.
  3. Asenov, A.
Konferenzberichte:
AIP Conference Proceedings

ISSN: 0094-243X,  1551-7616

ISBN: 9780735402676

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 780

Seiten: 239-242

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1063/1.2036740 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus