MÉTODO DE FABRICACIÓN DE ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS CONSIDERANDO EFECTOS CUÁNTICOS.
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Inventores/as:
- ANTONIO JESUS GARCIA LOUREIRO
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Universidade de Santiago de Compostela
info
Universidade de Santiago de Compostela
Santiago de Compostela, España
ES2357930A1 (04-05-2011)
ES2357930B1 (12-03-2012)
P200930611 (20-08-2009)
Resumo
Método de fabricación de una estructura semiconductora que comprende las etapas de obtención de los parámetros materiales, dimensiones y características externas del dispositivo electrónico, obtención del potencial clásico, los potenciales cuánticos y los cuasi-potenciales de los portadores y las concentraciones de portadores, cálculo de las características eléctricas del dispositivo a partir del potencial cuántico y los cuasi potenciales y comparación de las características eléctricas obtenidas con otras de referencia y optimización de los parámetros materiales en función de esa comparación. Gracias a que los potenciales cuánticos se obtienen de ecuaciones de gradiente de densidad es posible usar el método a escalas muy pequeñas de forma más precisa y rápida.