MÉTODO DE FABRICACIÓN DE ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS CONSIDERANDO EFECTOS CUÁNTICOS.

    Inventores/as:
  1. ANTONIO JESUS GARCIA LOUREIRO
  1. Universidade de Santiago de Compostela
    info

    Universidade de Santiago de Compostela

    Santiago de Compostela, España

ES
Publicación principal:

ES2357930A1 (04-05-2011)

Otras Publicaciones:

ES2357930B1 (12-03-2012)

Solicitudes:

P200930611 (20-08-2009)

Resumo

Método de fabricación de una estructura semiconductora que comprende las etapas de obtención de los parámetros materiales, dimensiones y características externas del dispositivo electrónico, obtención del potencial clásico, los potenciales cuánticos y los cuasi-potenciales de los portadores y las concentraciones de portadores, cálculo de las características eléctricas del dispositivo a partir del potencial cuántico y los cuasi potenciales y comparación de las características eléctricas obtenidas con otras de referencia y optimización de los parámetros materiales en función de esa comparación. Gracias a que los potenciales cuánticos se obtienen de ecuaciones de gradiente de densidad es posible usar el método a escalas muy pequeñas de forma más precisa y rápida.

INVENES: P200930611