Materia Condensada & Materiais Funcionais
MAT2
Beijing Institute of Technology
Pekín, ChinaPublicacións en colaboración con investigadores/as de Beijing Institute of Technology (2)
2019
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Magnetoresistance of Nanoscale Domain Walls Formed in Arrays of Parallel Nanowires
SPIN, Vol. 9, Núm. 1
2015
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Influence of anisotropic strain relaxation on the magnetoresistance properties of epitaxial Fe3O4 (110) films
Journal of Applied Physics, Vol. 118, Núm. 17