Scaling Challenges of Nanosheet Field-Effect Transistors into Sub-2 nm Nodes

  1. Alabdullah, M.G.K.
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  3. Nagy, D.
  4. Seoane, N.
  5. Garcia-Loureiro, A.J.
  6. Kalna, K.
Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Año de publicación: 2024

Volumen: 12

Páginas: 479-485

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/JEDS.2024.3416200 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor
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