Scaling Challenges of Nanosheet Field-Effect Transistors into Sub-2 nm Nodes

  1. Alabdullah, M.G.K.
  2. Elmessary, M.A.
  3. Nagy, D.
  4. Seoane, N.
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  6. Kalna, K.
Revista:
IEEE Journal of the Electron Devices Society

ISSN: 2168-6734

Año de publicación: 2024

Volumen: 12

Páginas: 479-485

Tipo: Artículo

DOI: 10.1109/JEDS.2024.3416200 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor HANDLE: https://hdl.handle.net/10347/42218
Minerva. Repositorio Institucional de la Universidad de Santiago de Compostela: lock_openAcceso abierto Handle

Objetivos de desarrollo sostenible

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Clasificación ODS obtenida utilizando el modelo de inteligencia artificial Aurora SDG.

Fuente de los datos: Scopus