Estudio estadístico de fluctuaciones en transistores MOSFET multipuerta ultraescalados
- Antonio García Loureiro Doktorvater
- Natalia Seoane Iglesias Doktormutter
Universität der Verteidigung: Universidade de Santiago de Compostela
Fecha de defensa: 15 von Dezember von 2023
- Beatriz García Vasallo Präsident/in
- Tomás F. Pena Sekretär
- Manuel Antonio Aldegunde Rodríguez Vocal
Art: Dissertation
Zusammenfassung
En esta tesis se abordan dos desafíos clave en el diseño de transistores para futuros nodos tecnológicos. El primero identificar la arquitectura basada en silicio más prometedora para reemplazar a los FinFETs, analizando el impacto de diferentes fuentes de variabilidad. Los resultados demuestran que el nanosheet FET exhibe una notable resistencia al impacto de las variabilidades estudiadas, posicionándolo como una alternativa adecuada para sustituir al FinFET. El segundo es reducir al máximo la demanda de recursos computacionales, manteniendo una elevada precisión en los resultados, para ello se desarrollaron modelos empíricos. Estos modelos presentan errores relativos inferiores al 10% reduciendo de manera sustancial el tiempo de computación necesario para la realización de estos estudios y su impacto ambiental.