Channel length dependence of discrete dopant effects in narrow Si nanowire transistors: A full 3D NEGF study

  1. Martinez, A.
  2. Asenov, A.
  3. Aldegunde, M.
Actas:
2010 14th International Workshop on Computational Electronics, IWCE 2010

ISBN: 9781424493845

Ano de publicación: 2010

Páxinas: 81-84

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1109/IWCE.2010.5677945 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus