Methodology for the Simulation of the Variability of MOSFETs with Polycrystalline High-k Dielectrics Using CAFM Input Data

  1. Ruiz, A.
  2. Couso, C.
  3. Seoane, N.
  4. Porti, M.
  5. Garcia-Loureiro, A.J.
  6. Nafria, M.
Zeitschrift:
IEEE Access

ISSN: 2169-3536

Datum der Publikation: 2021

Ausgabe: 9

Seiten: 90568-90576

Art: Artikel

DOI: 10.1109/ACCESS.2021.3090472 GOOGLE SCHOLAR lock_openOpen Access editor