Modelado de estructuras Schottky y de transistores MOSFET con contactos de fuente y drenador metálicos para aplicaciones de alta frecuencia
- Pascual, Elena
- María Jesús Martín Martínez Director
- Raúl Rengel Estévez Director
Universidade de defensa: Universidad de Salamanca
Fecha de defensa: 11 de xuño de 2010
- Tomás González Sánchez Presidente/a
- Beatriz García Vasallo Secretario/a
- Antonio García Loureiro Vogal
- David Jimenez Jimenez Vogal
- Andrés Godoy Medina Vogal
Tipo: Tese
Resumo
[ES] Esta tesis trata del ampliar el estudio de los dispositivos de la familia MOSFET de Silicio, abordando la investigación de estructuras alternativas de gran importancia para el futuro de la microelectrónica a corto y medio plazo, como son los transistores MOSFET de barrera Schottky, mediante el desarrollo y utilización de simuladores Monte Carlo.