Impact of gate edge roughness variability on FinFET and gate-all-around nanowire FET

  1. Espineira, G.
  2. Nagy, D.
  3. Indalecio, G.
  4. Garcia-Loureiro, A.J.
  5. Kalna, K.
  6. Seoane, N.
Zeitschrift:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Datum der Publikation: 2019

Ausgabe: 40

Nummer: 4

Seiten: 510-513

Art: Artikel

DOI: 10.1109/LED.2019.2900494 GOOGLE SCHOLAR HANDLE: https://hdl.handle.net/10347/38744
Minerva. Repositorio Institucional de la Universidad de Santiago de Compostela: lock_openOpen Access Handle

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