Impact of Cross-Sectional Shape on 10-nm Gate Length InGaAs FinFET Performance and Variability

  1. Seoane, N.
  2. Indalecio, G.
  3. Nagy, D.
  4. Kalna, K.
  5. Garcia-Loureiro, A.J.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 65

Nummer: 2

Seiten: 456-462

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2017.2785325 GOOGLE SCHOLAR
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