Modelling of nanoscale multi-gate transistors affected by atomistic interface roughness

  1. Nagy, D.
  2. Aldegunde, M.
  3. Elmessary, M.A.
  4. Garcia-Loureiro, A.J.
  5. Seoane, N.
  6. Kalna, K.
Zeitschrift:
Journal of Physics Condensed Matter

ISSN: 1361-648X,  0953-8984

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 30

Nummer: 14

Art: Artikel

DOI: 10.1088/1361-648X/AAB10F GOOGLE SCHOLAR
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