Anisotropic Quantum Corrections for 3-D Finite-Element Monte Carlo Simulations of Nanoscale Multigate Transistors

  1. Elmessary, M.A.
  2. Nagy, D.
  3. Aldegunde, M.
  4. Lindberg, J.
  5. Dettmer, W.G.
  6. Períc, D.
  7. García-Loureiro, A.J.
  8. Kalna, K.
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Datum der Publikation: 2016

Ausgabe: 63

Nummer: 3

Seiten: 933-939

Art: Artikel

DOI: 10.1109/TED.2016.2519822 GOOGLE SCHOLAR