Three-dimensional simulations of random dopant and metal-gate workfunction variability in an In0.53 Ga 0.47 As GAA MOSFET

  1. Seoane, N.
  2. Indalecio, G.
  3. Comesana, E.
  4. Garcia-Loureiro, A.J.
  5. Aldegunde, M.
  6. Kalna, K.
Revista:
IEEE Electron Device Letters

ISSN: 0741-3106

Ano de publicación: 2013

Volume: 34

Número: 2

Páxinas: 205-207

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/LED.2012.2230313 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus