3D finite element monte carlo simulations of multigate nanoscale transistors

  1. Aldegunde, M.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Kalna, K.
Revista:
IEEE Transactions on Electron Devices

ISSN: 0018-9383

Ano de publicación: 2013

Volume: 60

Número: 5

Páxinas: 1561-1567

Tipo: Artigo

DOI: 10.1109/TED.2013.2253465 GOOGLE SCHOLAR

Obxectivos de Desenvolvemento Sustentable

Fonte de datos: Scopus