3D drift-diffusion simulation with quantum-corrections of Tri-Gate MOSFETs

  1. García-Loureiro, A.
  2. Aldegunde, M.
  3. Seoane, N.
  4. Kalna, K.
  5. Asenov, A.
Konferenzberichte:
Proceedings of the 2009 Spanish Conference on Electron Devices, CDE'09

ISBN: 9781424428397

Datum der Publikation: 2009

Seiten: 200-203

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SCED.2009.4800465 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus