Random dopant related variability in the 30 nm gate length In0.75Ga0.25As implant free MOSFET
- Seoane, N.
- García-Loureiro, A.J.
- Kalna, K.
- Asenov, A.
ISSN: 1569-8025, 1572-8137
Ano de publicación: 2008
Volume: 7
Número: 3
Páxinas: 159-163
Tipo: Artigo
Revista:
Journal of Computational Electronics