3D Monte Carlo simulation of Tri-Gate MOSFETs using tetrahedral finite elements

  1. Aldegunde, M.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Martinez, A.
  4. Kalna, K.
Actas:
International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices, SISPAD

Ano de publicación: 2008

Páxinas: 153-156

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1109/SISPAD.2008.4648260 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus