Study of fluctuations in advanced MOSFETs using a 3D finite element parallel simulator

  1. Aldegunde, M.
  2. García-Loureiro, A.J.
  3. Kalna, K.
  4. Asenov, A.
Revista:
Journal of Computational Electronics

ISSN: 1569-8025 1572-8137

Ano de publicación: 2006

Volume: 5

Número: 4

Páxinas: 311-314

Tipo: Artigo

DOI: 10.1007/S10825-006-0012-Y GOOGLE SCHOLAR