Numerical simulation of new InP/GaAsSb-DHBTs using ATLAS

  1. Vicente, L.O.S.
  2. López-González, J.M.
  3. García-Loureiro, A.
Konferenzberichte:
2005 Spanish Conference on Electron Devices, Proceedings

ISBN: 9780780388109

Datum der Publikation: 2005

Ausgabe: 2005

Seiten: 187-189

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/SCED.2005.1504351 GOOGLE SCHOLAR

Ziele für nachhaltige Entwicklung

Datenquelle: Scopus