Estudio de efectos de baja dimensionalidad en superconductores de alta Tc intrínsecamente nanoestructurados y en capas delgadas de superconductores metálicos de baja Tc

  1. Sóñora Vidal, Daniel
Dirixida por:
  1. Jesús Manuel Mosqueira Rey Director
  2. Carlos Carballeira Romero Director

Universidade de defensa: Universidade de Santiago de Compostela

Fecha de defensa: 05 de novembro de 2018

Tribunal:
  1. Óscar Cabeza Presidente/a
  2. Manuel Vázquez Ramallo Secretario
  3. M. Teresa González Pérez Vogal
Departamento:
  1. Departamento de Física de Partículas

Tipo: Tese

Resumo

La presente tesis tiene por objetivo estudiar propiedades magnéticas y de transporte eléctrico en superconductores en los que alguna dimensión espacial compite con las longitudes características de la superconductividad (longitud de coherencia superconductora y longitud de penetración magnética). Para ello, realizaremos experimentos sobre capas delgadas de superconductores metálicos de baja temperatura crítica (Tc), y también sobre superconductores de alta Tc intrínsecamente nanoestructurados. En particular, se estudiarán el diamagnetismo y la conductividad eléctrica inducidas por fluctuaciones superconductoras en muestras de (Ca,La)(Fe, Ni)As2, un superconductor basado en hierro en el que la competición de longitudes que conduce a la nanoestructuración se produce de forma intrínseca, pues tanto la distancia entre planos superconductores de FeAs como la longitud de coherencia en la dirección c son del orden del nm. Por otra parte, medidas de transporte eléctrico sobre capas delgadas granulares de aluminio fabricadas en presencia de oxígeno nos servirán para explorar el acoplo entre los gránulos en función de las características estructurales y de la temperatura. El análisis de los datos resultantes de los experimentos anteriores nos permitirá obtener información sobre la evolución de la anisotropía y la dimensionalidad con el nivel de dopaje, y además, obtener parámetros superconductores relevantes como las longitudes de coherencia o los campos críticos.