Fabricación de cristales fotónicos para el rango de los terahercios mediante la técnica de escritura directa con tintas

  1. RIAL TUBIO, MARIA DEL CARMEN
Supervised by:
  1. Francisco Guitián Rivera Co-director
  2. Álvaro Gil González Co-director

Defence university: Universidade de Santiago de Compostela

Fecha de defensa: 25 October 2013

Committee:
  1. José Serafín Moya Corral Chair
  2. Vicente Moreno de las Cuevas Secretary
  3. Jaime Franco Vázquez Committee member
  4. Víctor Valcárcel Committee member
  5. José Ramón Salgueiro Piñeiro Committee member
Department:
  1. Department of Soil Science and Agricultural Chemistry

Type: Thesis

Abstract

En este trabajo se sintetizan tintas de Ti, Al2O3 y ZnO para fabricar cristales fotónicos en el rango de los terahercios y en el visible/infrarrojo mediante la técnica de escritura directa con tintas, y se diseñan, fabrican y caracterizan cristales fotónicos tridimensionales de Al2O3 y ZnO con bandgap completo en el rango de los terahercios. Inicialmente, se realiza la síntesis y dopado con cationes metálicos de las tintas poliméricas de Ti mediante el método sol-gel. El dopado con cationes metálicos se lleva a cabo para controlar el crecimiento de grano que ocurre al someter las tintas a altas temperaturas para transformarlas en TiO2. Se determina que los cationes más adecuados para evitar este crecimiento de grano son el Ce4+ y el Zr4+. En el caso de las tintas de Al2O3 y ZnO, la síntesis se realiza a partir de suspensiones acuosas, utilizando el método sol-gel coloidal. En ambos casos se caracterizan reológicamente las tintas, para determinar las condiciones óptimas de extrusión mediante escritura directa a través de agujas de 200 ¿m. Las estructuras de Al2O3 y ZnO obtenidas se calcinan a 1500 ºC, para provocar su sinterización y así aumentar su resistencia mecánica. Finalmente, se estudian las propiedades ópticas de las estructuras sinterizadas mediante espectroscopía de terahercios, y se compara su comportamiento con el obtenido teóricamente mediante los diagramas de bandas correspondientes. Las estructuras de Al2O3 y ZnO presentan un bandgap completo en el rango de los terahercios.